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Electro-Films (EFI) / Vishay
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Electro-Films (EFI) / Vishay SIE876DF-T1-GE3
| Artikelnummer: | SIE876DF-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Electro-Films (EFI) / Vishay SIE876DF-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIE876DF-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4.4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 10-PolarPAK® (L) Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.1 mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse 10-PolarPAK® (L) Andere Namen SIE876DF-T1-GE3CT Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V detaillierte Beschreibung N-Channel 60V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) SIE876DF-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] SIE876DF-T1-GE3 PDF - EN.pdf -
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